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IXFA10N60P-TRL

Name: IXYS IXFA10N60P-TRL
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFA10N60P-TRL
Price: 18.96 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

747-IXFA10N60P-TRL

制造商编号：

IXFA10N60P-TRL

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET 600V 10A

数据表:

IXFA10N60P-TRL 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	10 A
Rds On-漏源导通电阻:	740 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5.5 V
Qg-栅极电荷:	32 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	200 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	HiPerFET
封装:	Reel
商标:	IXYS
配置:	Single
下降时间:	21 ns
正向跨导 - 最小值:	6 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	27 ns
系列:	IXFA10N60P
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	21 ns
典型接通延迟时间:	23 ns
单位重量:	4 g

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IXFA10N60P-TRL 数据表 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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