IXFA5N50P3

Name: IXYS IXFA5N50P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFA5N50P3
Price: 24.3 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

747-IXFA5N50P3

制造商编号：

IXFA5N50P3

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode

数据表:

IXFA5N50P3 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解IXYS IXFA5N50P3详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	500 V
Id-连续漏极电流:	5 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.65 Ohms
商标名:	HiPerFET
封装:	Tube
商标:	IXYS
产品类型:	MOSFETs
系列:	IXFA5N50P
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
单位重量:	4 g

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IXFA5N50P3 数据表

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541900000
USHTS:: 8541900080
JPHTS:: 8542900006
TARIC:: 8541900000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 不可用
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs are the latest addition to the benchmark high-performance Polar-Series for the product portfolio between 300V, 500V, and 600V. The high Figure of Merit (FOM), which is the multiplication of Q_g and R_DS(on), provides an excellent alternative to weaker super junction technologies. These PolarP3 HiPerFETs demonstrate up to a 12% reduction in on-state resistance (R_dson), a 14 percent reduction in gate charge (Q_g) and as high as a 20 percent increase in maximum power dissipation (P_d). Lower thermal resistances are also achieved due to reduced chip thicknesses, increasing the total power density of the device.

医疗设备解决方案

Littelfuse医疗设备解决方案提供有助于可靠运行和设备正常运行所需的可靠设计和高品质元件。这些解决方案包括呼吸机、除颤器和超声。Littelfuse医疗设备解决方案非常适合用于生命支持系统、患者护理设备和患者监护系统。

电动汽车直流快速充电器

Littelfuse电动汽车 (EV) 充电解决方案包括非车载直流快速充电器。Littelfuse电动汽车充电解决方案支持设计人员选择理想的解决方案，以确保其电动汽车充电装置功能齐全、安全可靠。

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.