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IXFH150N17T2

Name: IXYS IXFH150N17T2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH150N17T2
Price: 95.23 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

747-IXFH150N17T2

制造商编号：

IXFH150N17T2

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET 175V 150A

数据表:

IXFH150N17T2 数据表

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库存量: 37

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在途量:: 300

预期 2026/11/23
生产周期：: 25

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥107.6099	¥107.61
	¥77.6649	¥776.65
	¥56.9859	¥6,838.31

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	175 V
Id-连续漏极电流:	150 A
Rds On-漏源导通电阻:	12 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	233 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	880 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	HiPerFET
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
下降时间:	20 ns
正向跨导 - 最小值:	165 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	16 ns
系列:	IXFH150N17
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	50 ns
典型接通延迟时间:	32 ns
单位重量:	6 g

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数据表

IXFH150N17T2 数据表

PCN

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

商用与战术无人机系统

Littelfuse 商用和战术无人机系统提供锂离子电池保护、电池充电器和电源分配解决方案。这些系统提供用于输入保护/过电流保险丝、用于半导体开关的MOSFET和用于DC输出瞬态/浪涌保护的TVS二极管。商用和战术无人机系统提供>60V的电池保护，并提供主电池组故障隔离、电池断开/电源路径控制（预充电支持）和分支电路过电流。典型应用包括情报、监视和侦察（ISR）、军事、边境监视、农业、交付/物流、检查和公共安全。

燃油/混合动力军用无人机系统

Littelfuse 燃油/混合动力军用无人机（UAV）系统提供电源转换和DC总线、配电以及充电器/地面电源解决方案。这些系统支持电源转换和DC总线，并带有整流二极管，可将AC线路电压转换为DC。燃油/混合动力军用无人机 (UAV) 系统提供TVS二极管、保险丝和MOSFET，用于半导体开关、浪涌保护和整流。这些系统提供符合AEC-Q/MIL标准的各类产品。典型应用包括情报、监视和侦察（ISR）、军事和边境监视。

无人机子系统

Littelfuse 无人机子系统提供USB-C PD和锂离子电池充电器、电池组系统和BLDC电机的解决方案。这些子系统提供各种功能的保险丝，包括AC输入过电流保护和故障隔离、电池和下游控制器的保护、电池组、线路和控制器的保护。无人机子系统提供TVS二极管，用于主要侧开关瞬态抑制和电池监控IC感知线输入过电压保护。这些子系统适用于各种无人机，包括玩具、相机、第一人称视角（FPV）、企业、工业、情报、监视和侦察（ISR）、检查/测绘、农业和重型升力无人机。典型应用包括快递/物流、公共安全、边境监控和军事。

电动汽车直流快速充电器

Littelfuse电动汽车 (EV) 充电解决方案包括非车载直流快速充电器。Littelfuse电动汽车充电解决方案支持设计人员选择理想的解决方案，以确保其电动汽车充电装置功能齐全、安全可靠。

Gen2 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen2 Trench Gate Power MOSFETs are offered with drain-to-source voltage ratings from 40V to 170V and provide high current capabilities of up to 600A (T_C=@25°C). The combined high current ratings of these devices and available compact package options provide designers the ability to control more power within a smaller footprint. These IXYS devices promote device consolidation through the reduction or elimination of multiple paralleled lower current rated MOSFET devices in high power switching applications. The resultant effect is a reduction in part count, as well as the number of required drive components, thus improving upon over-all system simplicity, reliability, and cost.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.