IXFH34N65X2W

Name: IXYS IXFH34N65X2W
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH34N65X2W
Price: 75.32 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

747-IXFH34N65X2W

制造商编号：

IXFH34N65X2W

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-247

寿命周期:

新产品:

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数据表:

IXFH34N65X2W 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	34 A
Rds On-漏源导通电阻:	100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5 V
Qg-栅极电荷:	64 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	540 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	HiPerFET
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
下降时间:	31 ns
正向跨导 - 最小值:	18 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	52 ns
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	66 ns
典型接通延迟时间:	38 ns

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数据表

IXFH34N65X2W 数据表 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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