IXFK32N100X

IXYS
747-IXFK32N100X
IXFK32N100X

制造商:

说明:
MOSFET 1000V 32A TO-264 Power MOSFET

ECAD模型:
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库存量: 255

库存:
255 可立即发货
生产周期:
27 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥200.6654 ¥200.67
¥130.5263 ¥1,305.26
¥125.9724 ¥12,597.24
¥116.4691 ¥58,234.55

产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-264-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
32 A
220 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
130 nC
- 55 C
+ 150 C
890 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 12 ns
正向跨导 - 最小值: 14 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 12 ns
工厂包装数量: 25
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 80 ns
典型接通延迟时间: 29 ns
单位重量: 10 g
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

非车载充电器子单元电源转换器

Littelfuse非车载充电器子单元电源转换器用于能够在30分钟内将SOC充电至80%的直流充电站。这些快速充电应用需要模块化电源转换器,可以并联满足不同功率的需求,从而实现快速充电。最关键的参数是能量密度和系统效率。直流充电站中的子单元电源转换器由集成在充电站中的交流/直流电源级和直流/直流电源级组成。

超结MOSFET

IXYS超结MOSFET具有低RDS(on)和低Qg,采用低电感行业标准封装。这些器件具有高功率密度、易于安装、节省空间等特性。超结MOSFET解决方案非常适合用于SMPS、直流-直流转换器、PFC电路、交流和直流电机驱动以及机器人/伺服控制。

电动汽车直流快速充电器

Littelfuse电动汽车 (EV) 充电解决方案包括非车载直流快速充电器。Littelfuse电动汽车充电解决方案支持设计人员选择理想的解决方案,以确保其电动汽车充电装置功能齐全、安全可靠。

非公路电动汽车解决方案

Littelfuse  为非公路电动汽车提供各种解决方案。这些电动汽车采用类似架构,功率范围为48 V至400 V。非公路电动汽车包括电动叉车、高尔夫球车、三轮车、拖车拖拉机、压缩机和挖掘机。

X-Class Power MOSFETs

IXYS X-Class Power MOSFETs are high-power density N-Channel Enhancement Mode MOSFETs. They are easy to mount and have a low RDS(ON) and QG with a low package inductance. Typical applications include switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters and PFC circuits.

电动汽车充电解决方案

Littelfuse电动汽车 (EV) 充电解决方案支持设计人员选择理想的解决方案,以确保其电动汽车充电装置功能齐全、安全可靠。非车载电动汽车充电站可在极端高温以及寒冷、雨、雪和雷击等恶劣环境中工作。Littelfuse产品可以防范这些危害,最大限度地降低故障风险。

850V超结X级HiPerFET™ MOSFET

IXYS 850V 超结 X 级 HiPerFET™ MOSFET 是增强模式雪崩额定快速内在二极管。这些 MOSFET 采用高功率密度和低封装电感设计,具有低导通电阻 RDS(ON) 和低 QG 值。X 级 MOSFET 可采用国际标准封装。典型应用是开关模式和谐振模式电源、机器人和伺服控制以及其他类似应用。
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HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.