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IXFN150N65X2

Name: IXYS IXFN150N65X2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN150N65X2
Price: 431.37 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

747-IXFN150N65X2

制造商编号：

IXFN150N65X2

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET模块 650V/145A Ultra Junction X2-Class

数据表:

IXFN150N65X2 数据表

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在途量:: 256

预期 2026/4/10

300

预期 2026/4/17
生产周期：: 41

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本产品所报告的交付时间长。

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最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥487.4481	¥487.45
	¥371.7248	¥3,717.25
	¥349.057	¥34,905.70

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET模块
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	SOT-227-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	145 A
Rds On-漏源导通电阻:	17 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5 V
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.04 mW
系列:	650V Ultra Junction X2
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
下降时间:	13 ns
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	30 ns
工厂包装数量:	10
子类别:	Discrete and Power Modules
商标名:	HiPerFET
类型:	HiperFET
典型关闭延迟时间:	100 ns
典型接通延迟时间:	55 ns
Vr - 反向电压 :	100 V
单位重量:	30 g

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数据表

IXFN150N65X2 数据表

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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