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IXFN32N100Q3

Name: IXYS IXFN32N100Q3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN32N100Q3
Price: 446.89 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

747-IXFN32N100Q3

制造商编号：

IXFN32N100Q3

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET模块 Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/28A

数据表:

IXFN32N100Q3 数据表

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥504.9857	¥151,495.71

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET模块
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	SOT-227-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1 kV
Id-连续漏极电流:	28 A
Rds On-漏源导通电阻:	320 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, + 30 V
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	780 W
系列:	IXFN32N1003
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	300 ns
工厂包装数量:	10
子类别:	Discrete and Power Modules
商标名:	HiPerFET
类型:	HiperFET
单位重量:	30 g

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已选择的属性: 0

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541900000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

商用与战术无人机系统

Littelfuse 商用和战术无人机系统提供锂离子电池保护、电池充电器和电源分配解决方案。这些系统提供用于输入保护/过电流保险丝、用于半导体开关的MOSFET和用于DC输出瞬态/浪涌保护的TVS二极管。商用和战术无人机系统提供>60V的电池保护，并提供主电池组故障隔离、电池断开/电源路径控制（预充电支持）和分支电路过电流。典型应用包括情报、监视和侦察（ISR）、军事、边境监视、农业、交付/物流、检查和公共安全。

燃油/混合动力军用无人机系统

Littelfuse 燃油/混合动力军用无人机（UAV）系统提供电源转换和DC总线、配电以及充电器/地面电源解决方案。这些系统支持电源转换和DC总线，并带有整流二极管，可将AC线路电压转换为DC。燃油/混合动力军用无人机 (UAV) 系统提供TVS二极管、保险丝和MOSFET，用于半导体开关、浪涌保护和整流。这些系统提供符合AEC-Q/MIL标准的各类产品。典型应用包括情报、监视和侦察（ISR）、军事和边境监视。

无人机子系统

Littelfuse 无人机子系统提供USB-C PD和锂离子电池充电器、电池组系统和BLDC电机的解决方案。这些子系统提供各种功能的保险丝，包括AC输入过电流保护和故障隔离、电池和下游控制器的保护、电池组、线路和控制器的保护。无人机子系统提供TVS二极管，用于主要侧开关瞬态抑制和电池监控IC感知线输入过电压保护。这些子系统适用于各种无人机，包括玩具、相机、第一人称视角（FPV）、企业、工业、情报、监视和侦察（ISR）、检查/测绘、农业和重型升力无人机。典型应用包括快递/物流、公共安全、边境监控和军事。

HiPerFET Power MOSFETs

IXYS has expanded the HiPerFET MOSTET family by introducing the Q3-Class products. The new Q3-Class provide up to a 25 percent reduction in on-state resistance, 27 percent reduction in input capacitance, 28 percent reduction in gate chare, 41 percent increase in maximum power dissipation, and up to 50 percent reduction in thermal resistances. These high-current, Polar HT™/HV™ HiPerFET™ power MOSFETs from IXYS are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types. View all .

Q3级HiperFET™功率MOSFET

IXYS Q3级HiPerFET™功率MOSFET为最终用户提供各种具有出色电源开关性能的器件。它们还具有出色的散热特性、增强的器件耐用性和高能效。这些MOSFET具有200V至1000V的额定漏-源电压和10A至100A的额定漏极电流。得益于以上特性，使Q3级达到了低导通电阻 (R_dson) 和低栅极电荷 (Q_g) 的最佳组合，从而显著降低了器件的导通和开关损耗。通过采用HiperFET 工艺进一步提高了电源开关能力和器件的耐用性。该工艺生产出的器件具有快速本征整流器，其具有低反向恢复电荷 (Q_rr)，同时增强了器件的换向dv/dt额定值（高达50V/ns）。