IXFN60N80P

IXYS
747-IXFN60N80P
IXFN60N80P

制造商：

说明：
MOSFET模块 DIODE Id54 BVdass800

数据表:
ECAD模型:
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供货情况

库存：
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在途量:
289
预期 2026/9/2
620
310
预期 2026/9/7
310
预期 2026/9/28
生产周期：
27
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥484.8039 ¥484.80
¥413.5009 ¥4,135.01
¥361.713 ¥36,171.30

产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: MOSFET模块
RoHS:  
Si
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1 Channel
800 V
53 A
140 mOhms
- 30 V, + 30 V
- 55 C
+ 150 C
1.04 mW
IXFN60N80
Tube
商标: IXYS
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: KR
下降时间: 26 ns
高度: 9.6 mm
长度: 38.23 mm
产品类型: MOSFET Modules
上升时间: 29 ns
工厂包装数量: 10
子类别: Discrete and Power Modules
商标名: HiPerFET
类型: HiperFET
典型关闭延迟时间: 110 ns
典型接通延迟时间: 36 ns
宽度: 25.42 mm
单位重量: 30 g
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已选择的属性: 0

数据表

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8504901900
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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