Name: IXYS IXFN62N80Q3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN62N80Q3
Price: 351.21 RMB
Availability: InStock

说明：

MOSFET模块 Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/49A

ECAD模型:

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定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥396.8673	¥396.87
	¥373.2955	¥3,732.96
	¥373.0469	¥37,304.69
500	报价

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET模块
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	SOT-227-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	800 V
Id-连续漏极电流:	49 A
Rds On-漏源导通电阻:	140 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, + 30 V
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	960 W
系列:	IXFN62N80
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	300 ns
工厂包装数量:	10
子类别:	Discrete and Power Modules
商标名:	HiPerFET
类型:	HiperFET
单位重量:	30 g

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已选择的属性: 0

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数据表

IXFN62N80Q3 数据表

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541900000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

Q3级HiperFET™功率MOSFET

IXYS Q3级HiPerFET™功率MOSFET为最终用户提供各种具有出色电源开关性能的器件。它们还具有出色的散热特性、增强的器件耐用性和高能效。这些MOSFET具有200V至1000V的额定漏-源电压和10A至100A的额定漏极电流。得益于以上特性，使Q3级达到了低导通电阻 (R_dson) 和低栅极电荷 (Q_g) 的最佳组合，从而显著降低了器件的导通和开关损耗。通过采用HiperFET 工艺进一步提高了电源开关能力和器件的耐用性。该工艺生产出的器件具有快速本征整流器，其具有低反向恢复电荷 (Q_rr)，同时增强了器件的换向dv/dt额定值（高达50V/ns）。

HiPerFET Power MOSFETs

IXYS has expanded the HiPerFET MOSTET family by introducing the Q3-Class products. The new Q3-Class provide up to a 25 percent reduction in on-state resistance, 27 percent reduction in input capacitance, 28 percent reduction in gate chare, 41 percent increase in maximum power dissipation, and up to 50 percent reduction in thermal resistances. These high-current, Polar HT™/HV™ HiPerFET™ power MOSFETs from IXYS are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types. View all .