IXFN66N85X

Name: IXYS IXFN66N85X
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN66N85X
Price: 270.77 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

747-IXFN66N85X

制造商编号：

IXFN66N85X

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET模块 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

数据表:

IXFN66N85X 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET模块
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	SOT-227-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	850 V
Id-连续漏极电流:	65 A
Rds On-漏源导通电阻:	65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	830 mW
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
下降时间:	20 ns
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	48 ns
工厂包装数量:	10
子类别:	Discrete and Power Modules
商标名:	HiPerFET
类型:	HiperFET
典型关闭延迟时间:	105 ns
典型接通延迟时间:	40 ns
单位重量:	30 g

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