IXFP3N120

IXYS
747-IXFP3N120
IXFP3N120

制造商:

说明:
MOSFET 3 Amps 1200V 4.50 Rds

ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
3 A
4.5 Ohms
- 20 V, 20 V
5 V
39 nC
- 55 C
+ 150 C
200 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 18 ns
正向跨导 - 最小值: 1.5 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 15 ns
系列: HiPerFET
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
单位重量: 2 g
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
韩国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 440

库存:
440 可立即发货
生产周期:
26 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥94.129 ¥94.13
¥52.6128 ¥526.13
¥48.477 ¥4,847.70
¥47.234 ¥23,617.00