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IXFP5N50P3

Name: IXYS IXFP5N50P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP5N50P3
Price: 22.84 RMB
Availability: Discontinued

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

747-IXFP5N50P3

制造商编号：

IXFP5N50P3

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET

寿命周期:

NRND:

不建议用于新设计。

数据表:

IXFP5N50P3 数据表

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数量	单价	总价
	¥25.8092	¥25.81
	¥16.7127	¥167.13
	¥11.3339	¥1,133.39
	¥9.266	¥4,633.00
	¥8.5993	¥8,599.30
	¥8.2716	¥20,679.00
	¥8.0456	¥40,228.00

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	500 V
Id-连续漏极电流:	5 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.65 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5 V
Qg-栅极电荷:	6.9 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	114 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	HiPerFET
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
下降时间:	12 ns
正向跨导 - 最小值:	2.5 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	13 ns
系列:	IXFP5N50
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	28 ns
典型接通延迟时间:	14 ns
单位重量:	2 g

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已选择的属性: 0

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数据表

IXFP5N50P3 数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541900000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs are the latest addition to the benchmark high-performance Polar-Series for the product portfolio between 300V, 500V, and 600V. The high Figure of Merit (FOM), which is the multiplication of Q_g and R_DS(on), provides an excellent alternative to weaker super junction technologies. These PolarP3 HiPerFETs demonstrate up to a 12% reduction in on-state resistance (R_dson), a 14 percent reduction in gate charge (Q_g) and as high as a 20 percent increase in maximum power dissipation (P_d). Lower thermal resistances are also achieved due to reduced chip thicknesses, increasing the total power density of the device.