IXFX30N100Q2

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Mouser编号：

747-IXFX30N100Q2

制造商编号：

IXFX30N100Q2

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET 30 Amps 1000V 0.35 Rds

寿命周期:

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数据表:

IXFX30N100Q2 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1 kV
Id-连续漏极电流:	30 A
Rds On-漏源导通电阻:	400 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	735 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	HiPerFET
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
下降时间:	10 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	14 ns
系列:	IXFX30N100
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	60 ns
典型接通延迟时间:	22 ns
单位重量:	6 g

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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