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IXTA110N055T7

Name: IXYS IXTA110N055T7
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTA110N055T7
Price: 25.25 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

747-IXTA110N055T7

制造商编号：

IXTA110N055T7

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET 110 Amps 55V 6.7 Rds

数据表:

IXTA110N055T7 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-263-7
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	55 V
Id-连续漏极电流:	110 A
Rds On-漏源导通电阻:	7 mOhms
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	230 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	HiPerFET
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
下降时间:	24 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	30 ns
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	40 ns
典型接通延迟时间:	20 ns
单位重量:	1.600 g

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数据表

IXTA110N055T7 数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 不可用
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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