IXTA3N120

IXYS
747-IXTA3N120
IXTA3N120

制造商：

说明：
MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 912

库存：
912
可立即发货
在途量:
1,100
预期 2026/8/17
生产周期：
32
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥93.7222 ¥93.72
¥53.1891 ¥531.89
¥47.0645 ¥4,706.45
¥46.6464 ¥23,323.20

备用包装

制造商零件编号:
IXTA3N120-TRL
包装:
Reel, Cut Tape, MouseReel
供货情况:
库存量
单价:
¥81.6425
最小:
1

产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS:  
D2PAK-3 (TO-263-3)
- 55 C
+ 150 C
IXTA3N120
Tube
商标: IXYS
通道模式: Enhancement
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: KR
下降时间: 18 ns
正向跨导 - 最小值: 1.5 S
Id-连续漏极电流: 3 A
安装风格: SMD/SMT
通道数量: 1 Channel
Pd-功率耗散: 150 W
产品类型: MOSFETs
Qg-栅极电荷: 42 nC
Rds On-漏源导通电阻: 4.5 Ohms
上升时间: 15 ns
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
技术: Si
晶体管极性: N-Channel
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
单位重量: 4 g
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541500000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99

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