IXTK400N15X4

IXYS
747-IXTK400N15X4
IXTK400N15X4

制造商:

说明:
MOSFET TO264 150V 400A N-CH 4CLASS

ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-264-3
N-Channel
1 Channel
150 V
400 A
3.1 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
430 nC
- 55 C
+ 175 C
1.5 kW
Enhancement
HiPerFET
Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 8 ns
正向跨导 - 最小值: 100 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 22 ns
系列: X4-Class
工厂包装数量: 25
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 180 ns
典型接通延迟时间: 40 ns
单位重量: 10 g
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
韩国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

超结MOSFET

IXYS超结MOSFET具有低RDS(on)和低Qg,采用低电感行业标准封装。这些器件具有高功率密度、易于安装、节省空间等特性。超结MOSFET解决方案非常适合用于SMPS、直流-直流转换器、PFC电路、交流和直流电机驱动以及机器人/伺服控制。

商用与战术无人机系统

Littelfuse 商用和战术无人机系统 提供锂离子电池保护、电池充电器和电源分配解决方案。这些系统提供用于输入保护/过电流保险丝、用于半导体开关的MOSFET和用于DC输出瞬态/浪涌保护的TVS二极管。商用和战术无人机系统提供>60V的电池保护,并提供主电池组故障隔离、电池断开/电源路径控制(预充电支持)和分支电路过电流。典型应用包括情报、监视和侦察(ISR)、军事、边境监视、农业、交付/物流、检查和公共安全。

电动汽车充电解决方案

Littelfuse电动汽车 (EV) 充电解决方案支持设计人员选择理想的解决方案,以确保其电动汽车充电装置功能齐全、安全可靠。非车载电动汽车充电站可在极端高温以及寒冷、雨、雪和雷击等恶劣环境中工作。Littelfuse产品可以防范这些危害,最大限度地降低故障风险。

燃油/混合动力军用无人机系统

Littelfuse 燃油/混合动力军用无人机 (UAV) 系统提供 电源转换和直流总线、配电以及充电器/地面电源解决方案。这些系统支持电源转换和直流总线,配有可将交流线路转换为直流线路的整流器二极管。  燃油/混合动力军用无人机 (UAV) 系统 为半导体开关、浪涌保护和整流应用提供 TVS二极管、保险丝和MOSFET。这些系统提供符合AEC-Q/MIL标准的各类产品。典型应用包括情报、监视和侦察(ISR)、军事和边境监视。

无人机子系统

Littelfuse 无人机子系统提供USB-C PD和锂离子电池充电器、电池组系统和BLDC电机的解决方案。这些子系统提供各种功能的保险丝,包括AC输入过电流保护和故障隔离、电池和下游控制器的保护、电池组、线路和控制器的保护。无人机子系统提供TVS二极管,用于主要侧开关瞬态抑制和电池监控IC感知线输入过电压保护。这些子系统适用于各种无人机,包括玩具、相机、第一人称视角(FPV)、企业、工业、情报、监视和侦察(ISR)、检查/测绘、农业和重型升力无人机。典型应用包括快递/物流、公共安全、边境监控和军事。

X4级135V至150V功率MOSFET

IXYS X4级135V至150V功率MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术。得益于该技术,这些功率MOSFET具有极低的电阻RDS(on)和栅极电荷Qg。低导通电阻可降低导通损耗;另外还可降低输出电容中存储的能量,从而最大限度地降低开关损耗。由于栅极电荷低,因此可在轻负载时实现更高的效率并且栅极驱动要求更低。这些MOSFET还可耐雪崩,并具有出色的dv/dt性能。这些MOSFET的导通电阻具有正温度系数,因此可以并联工作,以满足更高的电流要求。

电动汽车直流快速充电器

Littelfuse电动汽车 (EV) 充电解决方案包括非车载直流快速充电器。Littelfuse电动汽车充电解决方案支持设计人员选择理想的解决方案,以确保其电动汽车充电装置功能齐全、安全可靠。

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

库存量: 1,507

库存:
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生产周期:
30 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥575.3734 ¥575.37
¥471.6507 ¥4,716.51