IXTY2P50PA

Name: IXYS IXTY2P50PA
Brand: IXYS
SKU: 576-IXTY2P50PA
Price: 44.36 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

576-IXTY2P50PA

制造商编号：

IXTY2P50PA

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET Discrete MOSFET -2A -500V PolarP TO-252

数据表:

IXTY2P50PA 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解IXYS IXTY2P50PA详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	500 V
Id-连续漏极电流:	2 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	11.9 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	58 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
下降时间:	66 ns
正向跨导 - 最小值:	1.4 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	62 ns
工厂包装数量:	70
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	54 ns
典型接通延迟时间:	26 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IXTY2P50PA 数据表 (PDF)

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

商用与战术无人机系统

Littelfuse 商用和战术无人机系统提供锂离子电池保护、电池充电器和电源分配解决方案。这些系统提供用于输入保护/过电流保险丝、用于半导体开关的MOSFET和用于DC输出瞬态/浪涌保护的TVS二极管。商用和战术无人机系统提供>60V的电池保护，并提供主电池组故障隔离、电池断开/电源路径控制（预充电支持）和分支电路过电流。典型应用包括情报、监视和侦察（ISR）、军事、边境监视、农业、交付/物流、检查和公共安全。

燃油/混合动力军用无人机系统

Littelfuse 燃油/混合动力军用无人机 (UAV) 系统提供电源转换和直流总线、配电以及充电器/地面电源解决方案。这些系统支持电源转换和直流总线，配有可将交流线路转换为直流线路的整流器二极管。燃油/混合动力军用无人机 (UAV) 系统为半导体开关、浪涌保护和整流应用提供 TVS二极管、保险丝和MOSFET。这些系统提供符合AEC-Q/MIL标准的各类产品。典型应用包括情报、监视和侦察（ISR）、军事和边境监视。

无人机子系统

Littelfuse 无人机子系统提供USB-C PD和锂离子电池充电器、电池组系统和BLDC电机的解决方案。这些子系统提供各种功能的保险丝，包括AC输入过电流保护和故障隔离、电池和下游控制器的保护、电池组、线路和控制器的保护。无人机子系统提供TVS二极管，用于主要侧开关瞬态抑制和电池监控IC感知线输入过电压保护。这些子系统适用于各种无人机，包括玩具、相机、第一人称视角（FPV）、企业、工业、情报、监视和侦察（ISR）、检查/测绘、农业和重型升力无人机。典型应用包括快递/物流、公共安全、边境监控和军事。

IXTY2P50PA PolarP™ MOSFET

Littelfuse IXTY2P50PA PolarP™ MOSFET是一款易于安装、符合AEC-Q101标准的MOSFET，具有低封装电感。该MOSFET采用坚固的PolarP™工艺制造而成，设计紧凑，耐雪崩。IXTY2P50PA MOSFET具有-500V漏极-源极电压、-2A雪崩电流、150mJ雪崩能量以及58W功率耗散。该MOSFET可在-55°C至150°C温度范围内工作。典型应用包括高侧开关、推挽式放大器、自动测试设备、电流调节器和直流斩波器。