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1EDI2002ASXUMA2

Name: Infineon 1EDI2002ASXUMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-1EDI2002ASXUMA2
Price: 83.45 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-1EDI2002ASXUMA2

制造商编号：

1EDI2002ASXUMA2

制造商：

Infineon Technologies

说明：

栅极驱动器 DRIVER-IC

寿命周期:

NRND:

不建议用于新设计。

数据表:

1EDI2002ASXUMA2 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	栅极驱动器
RoHS:
产品:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOIC-36
激励器数量:	1 Driver
输出端数量:	1 Output
输出电流:	5 mA
电源电压-最小:	4.65 V
电源电压-最大:	18 V
上升时间:	120 ns
下降时间:	150 ns
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
系列:	Single
资格:	AEC-Q100
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	Gate Drivers
工厂包装数量:	1000
子类别:	PMIC - Power Management ICs
技术:	Si
商标名:	EiceDRIVER
零件号别名:	1EDI2002AS SP001362894
单位重量:	695.100 mg

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数据表

1EDI2002ASXUMA2 数据表 (PDF)

Application Notes

Application Note advanced gate drive options for Silicon-Carbide (SiC) MOSFETs using EiceDRIVER (PDF)

Models

Other

Packaging:PG-DSO-36-63 | 1EDI2010ASXUMA1 (PDF)

Product Catalogs

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合规代码

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542310075
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 印度尼西亚
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

EiceDRIVER隔离式与非隔离式栅极驱动器IC

Infineon EiceDRIVER™隔离式与非隔离式栅极驱动器IC为MOSFET、IGBT和IGBT模块提供经过优化的高低电压栅极驱动器解决方案。这些隔离式与非隔离式栅极驱动器IC是专为打造可靠且高效的应用所设计。经过优化的栅极驱动器配置，对于无论是独立形式还是电源模块形式的所有电源开关而言，都是必不可少的。Infineon栅极驱动器提供介于0.1A到最高10A的多样化典型输出电流选项，适合电源装置的所有尺寸。

单通道EiceDRIVER™ MOSFET栅极驱动器IC

英飞凌科技单通道EiceDRIVER™ MOSFET栅极驱动器IC是连接控制IC以及功能强大的MOSFET和GaN开关器件的关键所在。这些栅极驱动器IC可实现系统级高效率，并具有出色的功率密度和始终如一的系统稳健性。

EiceDRIVER™高压栅极驱动器IC

英飞凌 EiceDRIVER™用于电动汽车 (EV) 应用的高压栅极驱动器IC包括汽车级IGBT驱动器IC和SiC MOSFET驱动器IC。英飞凌 EiceDRIVER™高压栅极驱动器IC具备电隔离和双向信号传输能力，并具有耐高环境温度的特性。这些IC可实现极短的传播延迟，支持高达1200V的IGBT和SiC技术。这些器件集成了驱动SiC MOSFET的关键特性/参数，如增强的开关行为（扩展的CMTI能力、快速传播延迟和开关频率）、宽输出侧电源范围、短内部死区时间和DESAT/OCP阈值电平适应性。先进的监控和保护功能有助于执行ISO 26262功能安全要求，并在苛刻的电磁兼容环境中实现稳定运行。

体验功率差异

英飞凌是功率半导体市场的领导者。英飞凌拥有20多年的经验，是革命性CoolMOS™ 超级结MOSFET技术的创新者，在电源管理领域继续开拓创新。客户可以根据单独的设计/系统要求从业界最广泛的硅基SJ MOSFET产品组合中进行选择。作为掌握所有三种主要电源技术的少数制造商之一，英飞凌以突破性的宽带隙 (WBG) 产品补充了这一系列产品。该产品包括碳化硅基CoolSiC™ MOSFET、匹配二极管和氮化镓CoolGaN™ E模式HEMT。可提供各种解决方案，从卓越的性价比到无与伦比的稳健性，再到同类最佳的器件。这使得客户能够构建更高效、环保和可持续的应用。

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库存量: 266

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥94.2985	¥94.30
	¥73.6195	¥736.20
	¥68.4102	¥1,710.26
	¥62.7037	¥6,270.37
	¥59.551	¥14,887.75
	¥58.3984	¥29,199.20
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
	¥57.0763	¥57,076.30
2,000	报价

1EDI2002ASXUMA2

制造商： Infineon Technologies

说明： 栅极驱动器 DRIVER-IC

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文件 (9)

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单通道EiceDRIVER™ MOSFET栅极驱动器IC

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特色产品 INFINEON

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Infineon Technologies

说明：

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