Infineon Technologies EiceDRIVER™ 2EDL90xG3栅极驱动器

英飞凌EiceDRIVER™ 2EDL90xG3栅极驱动器专为在同一PCB上可实现氮化镓 (GaN) 和硅 (Si) 功率设计而设计。这些120V统一封装的栅极驱动器驱动双通道低侧、双通道高侧或半桥配置的Si MOSFET或增强型GaN晶体管。2EDL90xG3模块包括两个完全浮动的输出栅极驱动器,对于开关电容器和多电平拓扑它们尤其有用。五种可配置的输入模式可以由一个简单的下电阻器进行选择,包括三态单PWM模式、HSCC LS模式、HSCC HS模式、Hi/Li模式和Hi/Li反相模式。英飞凌EiceDRIVER 2EDL90xG3栅极驱动器采用16引脚3mm x 3mm封装,并按JEDEC 47/20/22标准通过了工业应用的认证。

特性

  • 支持广泛的功率拓扑
  • 紧凑且散热性能出色的解决方案
  • 适用于高功率应用
  • 灵活满足多种用户需求

应用

  • 适用于AI服务器的中间总线转换器
  • 适用于数据通信和电信的48V/54V降压转换器
  • 800V/±400V LLC转换器(二次侧)
  • 多相交错式降压转换器 (ILVB)
  • 混合开关式电容器转换器 (HSCC)

规范

  • 结隔离双通道浮动输出驱动器
  • 4A拉 (Si)/1.6A拉 (GaN) 输出电流能力
  • 6A灌输出电流能力
  • 集成式自举二极管
  • 5V栅极钳位电压,实现安全最佳的GaN驱动
  • HB和LB电源上绝对最大电压120V(参考GND)
  • 兼容3.3V逻辑的PWM输入
  • 栅极驱动器电源电压4V至16V (Si)
  • 栅极驱动器电源电压4V至13.2V (GaN)
  • HB、LB和VDD电源欠压锁定 (UVLO)
  • 15 ns典型传播延迟
  • 6ns至100ns可配置死区时间或导通延迟时间
  • 集成电流检测放大器用于DCR或基于分流器的电流检测
  • 支持广泛的功率拓扑:高压Buck、混合开关电容器、三级Buck、高压串联电容器Buck、开关电容器转换器以及HBCD(半桥转换器设计)拓扑
  • 工作结温范围:–40°C至125°C
  • TSNP-16封装 (3 mm x 3 m)
  • 按JEDEC 47/20/22标准的相关测试通过了工业应用认证
  • 无铅,符合 RoHS 指令

典型应用示意图

应用电路图 - Infineon Technologies EiceDRIVER™ 2EDL90xG3栅极驱动器
发布日期: 2026-07-01 | 更新日期: 2026-08-28