1EDI3025ASXUMA1

Infineon Technologies
726-1EDI3025ASXUMA1
1EDI3025ASXUMA1

制造商：

说明：
栅极驱动器 HVGD_TRACT

寿命周期:
新产品:
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产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
IGBT Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
DSO-20
1 Output
15 A
3 V
5.5 V
Inverting, Non-Inverting
55 ns
45 ns
- 40 C
+ 150 C
Reel
Cut Tape
商标: Infineon Technologies
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 5 mA
产品类型: Gate Drivers
传播延迟—最大值: 90 ns
Rds On-漏源导通电阻: 3 Ohms
工厂包装数量: 1000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: SiC
商标名: EiceDriver
零件号别名: 1EDI3025AS SP005741499
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已选择的属性: 0

数据表

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合规代码
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
德国
组装原产国/地区:
印度尼西亚
扩散国家:
德国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

EiceDRIVER™栅极驱动器IC

Infineon EiceDRIVER™ 栅极驱动器IC设计用于MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT器件。EiceDRIVER™ 栅极驱动器提供0.1A至10A的各种典型输出电流选项。这些器件具有稳健栅极驱动器保护功能，如快速短路保护（DESAT）、有源米勒钳位、击穿保护、故障、关断以及过流保护。这些特性使这些驱动器IC非常适合用于硅和宽带隙功率器件，包括CoolGaN™ 和CoolSiC™ 。因此，英飞凌提供超过500种EiceDRIVER™ 栅极驱动器IC解决方案，适用于任何电源开关和任何应用。

EiceDRIVER™高压栅极驱动器IC

英飞凌 ™电动汽车（ev）应用高压栅极驱动器IC包括汽车级IGBT驱动器IC和SiC MOSFET驱动器IC。英飞凌 EiceDRIVER™高压栅极驱动器IC可提供电气隔离和双向信号传输，并具有高环境温度能力。这些IC可实现极短的传播延迟，支持高达1200V的IGBT和SiC技术。这些器件集成了驱动SiC MOSFET的关键特性/参数，如增强的开关行为（扩展的CMTI能力、快速传播延迟和开关频率）、宽输出侧电源范围、短内部死区时间和DESAT/OCP阈值电平适应性。先进的监控和保护功能有助于执行ISO 26262功能安全要求，并在苛刻的电磁兼容环境中实现稳定运行。

供货情况

库存：
0

您可以延期订购此产品。

在途量:
2,990
预期 2026/9/17
生产周期：
20
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥34.578 ¥34.58
¥26.1369 ¥261.37
¥23.9899 ¥599.75
¥21.6734 ¥2,167.34
¥20.5999 ¥5,149.98
¥20.4304 ¥10,215.20
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥18.3625 ¥18,362.50
¥18.0348 ¥36,069.60
¥17.9444 ¥89,722.00

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