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RoHS

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BSS131 L6327

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-BSS131L6327

制造商编号：

BSS131 L6327

制造商：

Infineon Technologies

说明：

GaN 场效应晶体管 N-Ch 240V 110mA SOT-23-3

寿命周期:

停产

数据表:

BSS131 L6327 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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发货提醒：

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	GaN 场效应晶体管
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOT-23-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	240 V
Id-连续漏极电流:	110 mA
Rds On-漏源导通电阻:	14 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	360 mW
通道模式:	Enhancement
技术:	GaN
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	3.1 ns
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品:	MOSFET Small Signals
产品类型:	GaN FETs
上升时间:	3.1 ns
系列:	BSS131
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	13.7 ns
典型接通延迟时间:	3.3 ns
零件号别名:	BSS131L6327HTSA1
单位重量:	8 mg

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

BSS131 L6327 数据表 (PDF)

Product Catalogs

合规代码

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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