Name: Infineon FP10R12W1T7BOMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FP10R12W1T7BOMA1
Price: 263.23 RMB
Availability: OutOfStock

说明：

IGBT 模块 EASY

ECAD模型:

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定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥297.4499	¥297.45
	¥250.8826	¥2,508.83
	¥196.0324	¥23,523.89

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	IGBT 模块
产品:	IGBT Silicon Modules
配置:	3-Phase Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO:	1.2 kV
集电极—射极饱和电压:	1.6 V
在25 C的连续集电极电流:	10 A
栅极—射极漏泄电流:	100 nA
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
封装:	Tray
商标:	Infineon Technologies
产品类型:	IGBT Modules
系列:	Trenchstop IGBT7
工厂包装数量:	24
子类别:	IGBTs
技术:	Si
商标名:	EasyPIM
零件号别名:	FP10R12W1T7 SP005351582

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数据表

FP10R12W1T7BOMA1 数据表 (PDF)

Product Catalogs

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

1200 V PIM IGBT模块

英飞凌 1200V PIM IGBT模块采用TRENCHSTOP™ IGBT7和EC7二极管技术，基于最新的微型沟槽技术。此技术可大幅降低损耗并提供高度可控性。与以前使用的方形沟槽电池相比，该电池概念的特点是通过亚微米网状分离实现并联沟槽式电池。该芯片专门优化用于工业驱动应用和太阳能系统，这意味着更低的静态损耗，更高的功率密度，以及更柔和的开关。对于英飞凌1200V PIM IGBT模块，将最大工作温度提升至175°C可显著提高功率密度。

TRENCHSTOP™ IGBT7分立式器件和模块

英飞凌TRENCHSTOP™ IGBT7分立式器件和模块设计用于多种变速驱动器。如果所有工业驱动器中只有一半具有电速度控制功能，则可以节省20%的能量或1700万吨CO₂ 排放。英飞凌通过TRENCHSTOP IGBT7技术实现这种切换。

EasyPIM™ IGBT模块

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