FS150R12N2T7B15BPSA1

Infineon Technologies
726-FS150R12N2T7B15B
FS150R12N2T7B15BPSA1

制造商:

说明:
IGBT 模块 LOW POWER ECONO

ECAD模型:
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库存量: 16

库存:
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生产周期:
12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥570.0737 ¥570.07

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: IGBT 模块
IGBT Silicon Modules
6-Pack
1.2 kV
1.55 V
150 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Tray
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压: 20 V
安装风格: Through Hole
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 15
子类别: IGBTs
技术: Si
零件号别名: FS150R12N2T7_B15 SP005551571
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

1200 V Sixpack IGBT模块

英飞凌1200 V Sixpack IGBT模块是EasyPACK™ 1B六单元IGBT模块,采用TRENCHSTOP™ IGBT7、发射极控制7二极管和NTC技术。该技术可大幅降低损耗并提供高度可控性。与以前使用的方形沟槽电池相比,该电池概念的特点是通过亚微米网状分离实现并联沟槽式电池。该芯片专门优化用于工业驱动应用和太阳能系统,这意味着静态损耗大大降低,功率密度更高,开关更灵活。将英飞凌1200V Sixpack IGBT模块的允许最高工作温度提高至175°C,可显著提升功率密度。