FS50R12N2T7B15BPSA2

Name: Infineon FS50R12N2T7B15BPSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS50R12N2T7B15B2
Price: 537.36 RMB
Availability: InStock

Mouser编号：

726-FS50R12N2T7B15B2

制造商编号：

FS50R12N2T7B15BPSA2

制造商：

Infineon Technologies

说明：

IGBT 模块 1200 V, 50 A sixpack IGBT module

数据表:

FS50R12N2T7B15BPSA2 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	IGBT 模块
产品:	IGBT Silicon Modules
配置:	6-Pack
集电极—发射极最大电压 VCEO:	1.2 kV
集电极—射极饱和电压:	1.5 V
在25 C的连续集电极电流:	50 A
栅极—射极漏泄电流:	100 nA
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
封装:	Tray
商标:	Infineon Technologies
产品类型:	IGBT Modules
工厂包装数量:	15
子类别:	IGBTs
技术:	Si
零件号别名:	FS50R12N2T7_B15 SP005612508

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 匈牙利
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

1200 V Sixpack IGBT模块

英飞凌1200 V Sixpack IGBT模块是EasyPACK™ 1B六单元IGBT模块，采用TRENCHSTOP™ IGBT7、发射极控制7二极管和NTC技术。该技术可大幅降低损耗并提供高度可控性。与以前使用的方形沟槽电池相比，该电池概念的特点是通过亚微米网状分离实现并联沟槽式电池。该芯片专门优化用于工业驱动应用和太阳能系统，这意味着静态损耗大大降低，功率密度更高，开关更灵活。将英飞凌1200V Sixpack IGBT模块的允许最高工作温度提高至175°C，可显著提升功率密度。