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IDH08G120C5XKSA1

Name: Infineon IDH08G120C5XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IDH08G120C5XKSA1
Price: 30.16 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IDH08G120C5XKSA1

制造商编号：

IDH08G120C5XKSA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

碳化硅肖特基二极管 SIC CHIP/DISCRETE

数据表:

IDH08G120C5XKSA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	碳化硅肖特基二极管
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-2
配置:	Single
If - 正向电流:	8 A
Vrrm - 重复反向电压:	1.2 kV
Vf - 正向电压:	1.65 V
Ifsm - 正向浪涌电流:	70 A
Ir - 反向电流 :	3 uA
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Vr - 反向电压 :	1.2 kV
系列:	IDH08G120C5
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
Pd-功率耗散:	126 W
产品类型:	SiC Schottky Diodes
工厂包装数量:	500
子类别:	Diodes & Rectifiers
商标名:	CoolSiC
零件号别名:	IDH08G120C5 SP001194252
单位重量:	6 g

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合规代码

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

体验功率差异

英飞凌是功率半导体市场的领导者。英飞凌拥有20多年的经验，是革命性CoolMOS™ 超级结MOSFET技术的创新者，在电源管理领域继续开拓创新。客户可以根据单独的设计/系统要求从业界最广泛的硅基SJ MOSFET产品组合中进行选择。作为掌握所有三种主要电源技术的少数制造商之一，英飞凌以突破性的宽带隙 (WBG) 产品补充了这一系列产品。该产品包括碳化硅基CoolSiC™ MOSFET、匹配二极管和氮化镓CoolGaN™ E模式HEMT。可提供各种解决方案，从卓越的性价比到无与伦比的稳健性，再到同类最佳的器件。这使得客户能够构建更高效、环保和可持续的应用。

电动汽车直流快充解决方案

英飞凌电动汽车直流快充解决方案可满足电动汽车的充电需求。随着市场上电动汽车数量不断增长，以及诸多国家和地区政府要求在2050年前实现零排放目标，人们迫切需要更加高效的充电解决方案。正如各类消费者研究所示，用户对电动汽车的接受程度深受充电的可用性和时长影响，而大功率直流充电站就是满足此类市场需求的解决方案。如今，常规电动汽车可在10分钟内充满80%的电池容量，这样的充电速度已经堪比传统内燃机汽车的加油速度。英飞凌可帮助实现节能的直流快充设计，让您受益于全面、可随时实施的一站式产品和设计组合，涵盖电源转换、微控制器、安全防护、辅助电源和通信产品系列。

1200V CoolSiC肖特基二极管

Infineon 1200V CoolSiC肖特基势垒二极管采用TO-247封装、TO-220封装和DPAK封装，其正向电流分别高达40A、20A和10A。CoolSiC二极管设计用于太阳能逆变器、UPS、3P SMPS以及能量储存与电机驱动应用。这些二极管降低了正向电压和温度依存性，从而使系统效率提升到新的水平。此外，与硅基解决方案相比，热性能的提高增加了系统可靠性，还能提高既定形状因子下的输出功率。它们结合了Si高速3 IGBT，可将Si IGBT导通损耗降低40%，同时降低电磁干扰。
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碳化硅CoolSiC™ MOSFET和二极管

英飞凌碳化硅CoolSiC™ MOSFET和二极管提供的产品组合可满足对更智能、更高效能量生成、传输和消耗的需求。CoolSiC产品组合可满足客户在中高功率系统中减小系统尺寸和降低成本的需求，同时满足最高质量标准，延长系统使用寿命并确保可靠性。凭借CoolSiC，客户将实现最严格的效率目标，同时降低操作系统成本。该产品组合包括CoolSiC肖特基二极管、CoolSiC混合模块、CoolSiC MOSFET模块和分立式器件，以及用于驱动碳化硅器件的EiceDRIVER™ 栅极驱动器IC。