IGLT65R035D2ATMA1

Name: Infineon IGLT65R035D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGLT65R035D2ATMA
Price: 80.59 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IGLT65R035D2ATMA

制造商编号：

IGLT65R035D2ATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

寿命周期:

新产品:

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数据表:

IGLT65R035D2ATMA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	HEMT
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Rds On-漏源导通电阻:	42 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.6 V
Qg-栅极电荷:	11 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
通道模式:	Enhancement
技术:	GaN
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
输出功率:	152 W
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	Power Transistors
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	1800
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	GaN Transistor

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 1,611

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在途量:: 1,800

预期 2027/1/28
生产周期：: 18

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥91.0667	¥91.07
	¥52.1156	¥521.16
	¥49.4601	¥4,946.01
	¥46.6464	¥23,323.20
	¥40.3636	¥40,363.60
整卷卷轴（请按1800的倍数订购）
	¥40.0359	¥72,064.62

IGLT65R035D2ATMA1

制造商： Infineon Technologies

说明： GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

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