IGLT65R110D2ATMA1

Name: Infineon IGLT65R110D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGLT65R110D2ATMA
Price: 34.55 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IGLT65R110D2ATMA

制造商编号：

IGLT65R110D2ATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

IGLT65R110D2ATMA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Infineon Technologies IGLT65R110D2ATMA1详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	HEMT
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	15 A
Rds On-漏源导通电阻:	140 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.6 V
Qg-栅极电荷:	3.4 nC
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
通道模式:	Enhancement
技术:	GaN
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	Power Transistors
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	1800
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	GaN Transistor

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IGLT65R110D2ATMA1 数据表 (PDF)

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

CoolGaN™ Gen 2 650V功率晶体管

英飞凌CoolGaN™ Gen 2 650V功率晶体管采用高效GaN（氮化镓）晶体管技术，可在高达650V的电压范围内进行功率转换。英飞凌的GaN技术通过端到端的大规模量产，使E模式（增强模式）概念走向成熟。这种开创性的质量确保了最高标准，并提供了最可靠的性能。增强模式CoolGaN™ Gen 2 650V功率晶体管具有超快开关速度，可提高系统效率和功率密度。