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IPA60R080P7XKSA1

Name: Infineon IPA60R080P7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPA60R080P7XKSA1
Price: 42.46 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IPA60R080P7XKSA1

制造商编号：

IPA60R080P7XKSA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET HIGH POWER_NEW

数据表:

IPA60R080P7XKSA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	37 A
Rds On-漏源导通电阻:	69 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	51 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	29 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolMOS
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	5 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	10 ns
系列:	CoolMOS P7
工厂包装数量:	500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	70 ns
典型接通延迟时间:	15 ns
零件号别名:	IPA60R080P7 SP001658398
单位重量:	2 g

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数据表

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Application Notes

Product Catalogs

SPICE Models

MOSFET CoolMOS™ P7 600V PSpice (邮政)

Technical Resources

Bill of Material Evaluation Board 2kW ZVS FB CFD2 (电子表格)

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

600V CoolMOS P7功率晶体管

Infineon 600V CoolMOS P7功率晶体管是第7代器件，采用高压功率MOSFET的革命性技术。该款晶体管按照超级结 (SJ) 原理进行设计，由Infineon Technologies首创。600V CoolMOS P7将快速开关SJ MOSFET的优势与出色的易用性相结合。600V P7具有极低的振铃倾向、针对硬换向的优异的体二极管耐受性，以及出色的ESD能力。极低的开关损耗和导通损耗使开关应用变得更高效、更紧凑、散热性能更佳。
了解详情

CoolMOS™超级结MOSFET

英飞凌CoolMOS™ 功率晶体管具有快速开关SJ MOSFET的所有优势。与CoolMOS 7代结合使用，英飞凌继续设定价格、性能和质量基准。

CoolMOS™ 7超级结MOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ 7超级结MOSFET为能源效率、功率密度和简单易用设立了新标准。CoolMOS 7技术针对特定应用进行优化，采用创新的封装，集成了各种技术。CoolMOS 7 MOSFET非常适合用于让电动汽车充电站更小巧、输出更高、充电更快的应用。由于CoolMOS 7的出现，新一代适配器和充电器更小巧、更轻盈、更高效。通过CoolMOS 7，工程师可以让可再生能源系统更经济、更高效。

CoolMOS™ P7 MOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ P7 MOSFET 的性价比属同类最佳，简单易用，能够应对各种应用的挑战。700V和800V CoolMOS P7功率MOSFET开发用于反激式低功耗SMPS应用，包括适配器和充电器、照明、音频SMPS、AUX和工业电源。600V CoolMOS P7功率MOSFET不仅设计用于小功率应用，而且还用于大功率SMPS应用，如太阳能逆变器、服务器、电信和电动汽车充电站。P7 MOSFET经过彻底优化，用于硬开关和软开关拓扑结构。

体验功率差异

英飞凌是功率半导体市场的领导者。英飞凌拥有20多年的经验，是革命性CoolMOS™ 超级结MOSFET技术的创新者，在电源管理领域继续开拓创新。客户可以根据单独的设计/系统要求从业界最广泛的硅基SJ MOSFET产品组合中进行选择。作为掌握所有三种主要电源技术的少数制造商之一，英飞凌以突破性的宽带隙 (WBG) 产品补充了这一系列产品。该产品包括碳化硅基CoolSiC™ MOSFET、匹配二极管和氮化镓CoolGaN™ E模式HEMT。可提供各种解决方案，从卓越的性价比到无与伦比的稳健性，再到同类最佳的器件。这使得客户能够构建更高效、环保和可持续的应用。