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Infineon CoolMOS™ P7功率晶体管 |
| Infineon CoolMOS™ 700V P7功率晶体管采用CoolMOS，它是高压功率MOSFET的一项革命性技术。该款700V晶体管按照超级结(SJ)原理进行设计，由Infineon Technologies首创。最新的700V CoolMOS P7是一个经过优化的平台，根据消费市场的目标成本敏感型应用而量身定制，例如充电器、适配器、照明、电视等。
该全新系列不但具有快速开关超级结MOSFET的所有优势，而且性价比和易用性极高。该技术达到最高效率标准，并支持高功率密度，从而助力客户实现超薄设计。 特性 - 超低损耗，得益于极低的FOM RDS(on) Qg和RDS(on) Eoss
- 出色的散热性能
- 集成ESD保护二极管
- 低开关损耗(Eoss)
- 成本竞争力技术
- 较低的温度
- 高ESD耐受力
- 在更高的开关频率下实现效率提升
- 支持高功率密度设计和小尺寸外形
- 符合标准级应用要求
应用 - 推荐用于反激式拓扑结构，例如充电器、适配器、照明应用等。
| | Infineon CoolMOS 800V P7功率晶体管结合了同类最佳性能和易用性两大优势。P7在800V超级结技术方面树立了新基准。该晶体管具有高达0.6%的效率增益和2°C至8°C的较低MOSFET温度。
该晶体管具有经过优化的器件参数，如Eoss和Qg下降50%以上，Ciss和Coss也降低。CoolMOS P7 还通过较低的开关损耗和更好的 DPAK RDS(on) 产品实现较高的功率密度设计。CoolMOS P7非常适合用于低功耗SMPS应用。 特性 - 同类最佳的性能
- 实现较高的功率密度设计、节省BOM和较低的组装成本
- 易于驱动和并联
- 通过减少ESD相关故障获得较高生产量
- 生产问题较少，现场退货减少
- 针对设计微调，易于选择正确零部件
应用 - 建议用于LED照明的硬和软开关反激式拓扑
- 低功耗充电器和适配器
- 音频
- AUX电源和工业电源
- 消费类应用中的PFC级
- 太阳能
| | Infineon 600V CoolMOS P7功率晶体管是第7代器件，采用高压功率MOSFET的革命性技术。该款晶体管按照超级结 (SJ) 原理进行设计，由Infineon Technologies首创。
600V CoolMOS P7将快速开关SJ MOSFET的优势与出色的易用性相结合。600V P7具有极低的振铃倾向、针对硬huanxiang的优异的体二极管耐受性，以及出色的ESD能力。
极低的开关损耗和导通损耗使开关应用变得更高效、紧凑、散热更佳。 特性 - 具有出色的换向耐受性，因此适合用于硬开关和软开关（PFC和LLC）
- 开关和导通损耗大幅降低
- 凭借低RDS(on)*A（低于1Ohm*mm²），与竞争产品相比，具有更佳的RDS(on)/封装产品
- 具有细化RDS(on)选项的大型产品组合，适用于各种工业和消费级应用，符合JEDEC（J-STD20和JESD22）
- 易用性和快速设计：通过低振铃倾向和跨PFC和PWM级使用实现
- 出色的ESD耐受性：>2kV (HBM)，适用于所有产品
- 由于开关和导通损耗低，因此简化了热管理
- 通过使用更小占位尺寸的产品实现了高功率密度解决方案；借助>2kVESD保护能力，提高了生产质量
- 适合各种应用和功率范围
应用 - PFC、硬开关PWM和谐振开关功率级。例如 PC Silverbox、适配器、LCD和PDP TV、照明、服务器、电信和UPS
| | Infineon Technologies出品的TLE9250高速CAN收发器是用于高速CAN网络内部的高速CAN收发器，适用于汽车和工业应用。该收发器符合ISO 11898-2 (2016) 物理层规范要求和SAE标准J1939和J2284。TLE9250采用PG-DSO-8封装和小型无引线PG-TSON-8封装。两种封装均符合RoHS指令，不含卤素。另外，PG-TSON-8封装还支持自动光学检测 (AOI) 的焊点要求。作为物理总线层和高速CAN协议控制器之间的接口，TLE9250可以保护微控制器免受网络内部产生的干扰。该器件具有极高的静电放电 (ESD) 抑制能力和出色的射频抗扰度，可在无需添加额外保护设备（如抑制器二极管）的情况下用于汽车应用。 特性 - 完全符合ISO 11898-2 (2016) 和SAE J2284-4/-5要求
- 作为CAN收发器的基准器件和CAN收发器互操作性测试规范的一部分
- 有保证的环路延迟对称性，支持速率高达5 MBit/s的CAN灵活数据速率 (CAN FD) 数据帧
- 电磁辐射 (EME) 极低，可在无需额外的共模扼流圈的情况下使用
- 具有宽共模范围，实现了高电磁抗扰度 (EMI)
- 出色的ESD抑制能力：+/-8kV (HBM) 和+/-11kV (IEC 61000-4-2)
- 较宽的VCC电源电压范围
- CAN对地、电池和VCC短路保护
- TxD超时功能
- 在掉电状态下，CAN总线漏电流极低
- 过热保护
- 可免受汽车瞬变损害，符合ISO 7637和SAE J2962-2标准
- 只接收模式和省电模式
- 绿色产品（符合RoHS指令）
- 小型无引线TSON8封装，设计用于自动光学检测 (AOI)
- 符合AEC标准
应用 - 引擎控制单元 (ECU)
- 电动转向系统
- 变速器控制单元 (TCU)
- 底盘控制模块
| | Infineon Technologies EVAL_3kW_2LLC_C7评估板用于设计具有高效率要求的电信/工业SMPS的双相LLC系统解决方案。该评估板在一次侧含有一个CoolMOS™ IPP60R040C7 600V功率MOSFET，在同步整流二次级的SuperSO8 BSC093N15NS5中含有一个OptiMOS™低电压功率MOSFET。该评估板还具有用于MOSFET的QR CoolSET ICE2QR2280Z、1EDI60N12AF EiceDRIVER™高压高速驱动器IC，低侧栅极驱动器2EDN7524R和数字LLC控制器XMC4400。 |
| | Infineon Technologies EVAL45W19VFLYBP7TOBO1 45W适配器演示板用于测试800V CoolMOS™ P7系列高压MOSFET。该适配器使用第二代电流模式控制准谐振反激式控制器ICE2QS03G和IPA80R450P7 800 V CoolMOS™P7系列功率MOSFET。该板旨在成为充电器和适配器应用的形式、配合和功能测试平台。该演示板围绕准谐振反激式拓扑设计，用于改善开关损耗，可增加功率密度设计并降低放射和传导辐射。 | |
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发布日期: 2016-09-14
| 更新日期: 2016-09-14
