IPBE65R190CFD7AATMA1

Name: Infineon IPBE65R190CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPBE65R190CFD7A1
Price: 38.36 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IPBE65R190CFD7A1

制造商编号：

IPBE65R190CFD7AATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS

数据表:

IPBE65R190CFD7AATMA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	14 A
Rds On-漏源导通电阻:	190 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	28 nC
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	77 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标名:	CoolMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
产品类型:	MOSFETs
系列:	CoolMOS CFD7A
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
零件号别名:	IPBE65R190CFD7A SP005398486

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数据表

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Product Catalogs

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合规代码

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

650V CoolMOS™ CFD7A SJ功率MOSFET

英飞凌科技 650V CoolMOS ™ CFD7A SJ功率MOSFET适用于电动汽车应用，例如车载充电器、高压-低压直流-直流转换器和辅助电源。CoolMOS CFD7A SJ功率MOSFET提高了宇宙辐射稳健性，因此能够以与前几代产品和其他市场产品相当的可靠性施加更高的电池电压。CoolMOS CFD7A SJ功率MOSFET可确保硬开关和谐振开关拓扑的高效率，特别是在轻负载条件下。在与前几代产品相当的栅极损耗水平下实现更高开关频率。系统重量轻、占用空间小，因此设计更加紧凑。

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80V N沟道标准电平设备，热阻优异，PG‑TDSON‑8封装。

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库存量: 860

库存：: 860 可立即发货

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生产周期：: 20 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

数量大于860的订购须受最低订购要求的限制。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥43.3468	¥43.35
	¥28.3743	¥283.74
	¥21.1762	¥2,117.62
	¥17.6958	¥8,847.90
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
	¥14.9725	¥14,972.50
	¥14.8934	¥74,467.00
25,000	报价

IPBE65R190CFD7AATMA1

制造商： Infineon Technologies

说明： MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS

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