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IPD60R180CM8XTMA1

Name: Infineon IPD60R180CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD60R180CM8XTMA
Price: 20.72 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IPD60R180CM8XTMA

制造商编号：

IPD60R180CM8XTMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET HIGH POWER_NEW

数据表:

IPD60R180CM8XTMA1 数据表 (PDF)

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥23.4136	¥23.41
	¥15.0516	¥150.52
	¥10.3395	¥1,033.95
	¥8.4411	¥4,220.55
	¥7.797	¥7,797.00
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥7.2659	¥18,164.75

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-252-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	18 A
Rds On-漏源导通电阻:	180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.7 V
Qg-栅极电荷:	17 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	127 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	12.8 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	6 ns
系列:	600V CM8
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	88.4 ns
典型接通延迟时间:	17.2 ns
零件号别名:	IPD60R180CM8 SP005578057

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已选择的属性: 0

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数据表

IPD60R180CM8XTMA1 数据表 (PDF)

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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体验功率差异

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