IPTG039N15NM5ATMA1

Name: Infineon IPTG039N15NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-TG039N15NM5ATMA1
Price: 20.13 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-TG039N15NM5ATMA1

制造商编号：

IPTG039N15NM5ATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET IFX FET >100-150V

数据表:

IPTG039N15NM5ATMA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Infineon Technologies IPTG039N15NM5ATMA1详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	HSOG-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	190 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	74 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	319 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	OptiMOS
封装:	Reel
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	5.5 ns
正向跨导 - 最小值:	110 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	4.5 ns
系列:	OptiMOS 5
工厂包装数量:	1800
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	23.5 ns
典型接通延迟时间:	19 ns
零件号别名:	IPTG039N15NM5 SP005676943