IPW65R041CFDFKSA2

Name: Infineon IPW65R041CFDFKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW65R041CFDFKS2
Price: 99.19 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IPW65R041CFDFKS2

制造商编号：

IPW65R041CFDFKSA2

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

数据表:

IPW65R041CFDFKSA2 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Infineon Technologies IPW65R041CFDFKSA2详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	700 V
Id-连续漏极电流:	68.5 A
Rds On-漏源导通电阻:	41 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	300 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	500 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
产品类型:	MOSFETs
工厂包装数量:	240
子类别:	Transistors
零件号别名:	IPW65R041CFD SP001987360
单位重量:	6 g

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IPW65R041CFDFKSA2 数据表 (PDF)

Product Catalogs

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 德国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

CoolMOS™ 功率晶体管

Infineon CoolMOS™ 功率晶体管采用面向高压功率 MOSFET 的革命性 CoolMOS™ 技术，该技术根据超结原理 (SJ) 设计，并由 Infineon Technologies 率先应用。 CoolMOS™ C6和E6系列功率晶体管融合了一流SJ MOSFET供应商的行业经验，并兼具高度的创新性。它在提供快速开关SJ MOSFET的所有优势的同时，丝毫没有牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、小巧、轻便，散热效果也更佳。
了解更多

Infineon Technologies 扩展了采用 CoolMOS™ 技术的 CoolMOS® 功率晶体管产品，该技术根据超结原理设计，适用于高压功率 MOSFET 。这些CoolMOS®功率晶体管具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时提供坚固的超高速体二极管。 Infineon Technologies CoolMOS®功率晶体管尤其适用于PC Silverbox、LCD TV 、照明、服务器和电信等应用的谐振开关PWM阶段。
查看整个CoolMOS系列