IPW65R075CFD7AXKSA1

Infineon Technologies
726-IPW65R075CFD7AXK
IPW65R075CFD7AXKSA1

制造商:

说明:
MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS

ECAD模型:
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Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
32 A
75 mOhms
20 V
4.5 V
68 nC
- 55 C
+ 150 C
171 W
Enhancement
AEC-Q101
CoolMOS
Tube
商标: Infineon Technologies
产品类型: MOSFETs
系列: CoolMOS CFD7A
工厂包装数量: 240
子类别: Transistors
零件号别名: IPW65R075CFD7A SP005324280
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合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
德国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
奥地利
发货时,国家/地区可能会发生变化。

650V CoolMOS™ CFD7A SJ功率MOSFET

英飞凌科技  650V CoolMOS ™ CFD7A SJ功率MOSFET适用于电动汽车应用,例如车载充电器、高压-低压直流-直流转换器和辅助电源。CoolMOS CFD7A SJ功率MOSFET提高了宇宙辐射稳健性,因此能够以与前几代产品和其他市场产品相当的可靠性施加更高的电池电压。CoolMOS CFD7A SJ功率MOSFET可确保硬开关和谐振开关拓扑的高效率,特别是在轻负载条件下。在与前几代产品相当的栅极损耗水平下实现更高开关频率。系统重量轻、占用空间小,因此设计更加紧凑。

CoolMOS™ 功率晶体管

Infineon CoolMOS™ 功率晶体管采用面向高压功率 MOSFET 的革命性 CoolMOS™ 技术,该技术根据超结原理 (SJ) 设计,并由 Infineon Technologies 率先应用。 CoolMOS™ C6和E6系列功率晶体管融合了一流SJ MOSFET供应商的行业经验,并兼具高度的创新性。 它在提供快速开关SJ MOSFET的所有优势的同时,丝毫没有牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、小巧、轻便,散热效果也更佳。
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Infineon Technologies 扩展了采用 CoolMOS™ 技术的 CoolMOS® 功率晶体管产品,该技术根据超结原理设计,适用于高压功率 MOSFET 。 这些CoolMOS®功率晶体管具备快速开关SJ MOSFET的所有优势,同时提供坚固的超高速体二极管。 Infineon Technologies CoolMOS®功率晶体管尤其适用于PC Silverbox、LCD TV 、照明、服务器和电信等应用的谐振开关PWM阶段。
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库存量: 1,029

库存:
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生产周期:
49 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥76.3428 ¥76.34
¥40.8608 ¥408.61
¥37.7194 ¥3,771.94
¥37.6403 ¥18,067.34
¥36.3069 ¥43,568.28