IR2128SPBF
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请参阅产品规格
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942-IR2128SPBF
IR2128SPBF
制造商：
说明：
栅极驱动器 1 HI SIDE DRVR INVERTING INPUT
栅极驱动器 1 HI SIDE DRVR INVERTING INPUT
寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
数据表:
数据表
Application Notes
- Gate Drive Characteristics and Requirements for HEXFET® power MOSFETs (PDF)
- HV Floating MOS Gate Drivers (PDF)
- IRS212(7,8,71) and IR212(7,8,71) Comparison (PDF)
- Understanding HVIC Datasheet Specifications (PDF)
- Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs (PDF)
- Using the Current Sensing IR212x Gate Driver ICs (PDF)
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
合规代码
- CNHTS:
- 8542399000
- CAHTS:
- 8542310000
- USHTS:
- 8542310075
- KRHTS:
- 8542311000
- TARIC:
- 8542319000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
原产地分类
- 原产国:
- 美国
- 组装原产国/地区:
- 泰国
- 扩散国家:
- 中国台湾
库存量: 3,368
-
库存：
-
3,368 可立即发货出现意外错误。请稍候重试。
-
生产周期：
-
24 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
定价 (含13% 增值税)
| 数量 | 单价 |
总价
|
|---|---|---|
| ¥25.8883 | ¥25.89 | |
| ¥19.3569 | ¥193.57 | |
| ¥17.0404 | ¥426.01 | |
| ¥16.3737 | ¥1,637.37 | |
| ¥15.8765 | ¥3,969.13 | |
| ¥15.4697 | ¥7,734.85 | |
| ¥14.7239 | ¥14,723.90 | |
| ¥13.9781 | ¥34,945.25 | |
| ¥13.899 | ¥52,816.20 |