ISC009N06NM6ATMA1

Name: Infineon ISC009N06NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC009N06NM6ATMA
Price: 23.13 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-ISC009N06NM6ATMA

制造商编号：

ISC009N06NM6ATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

ISC009N06NM6ATMA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Infineon Technologies ISC009N06NM6ATMA1详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PG-TDSON-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	344 A
Rds On-漏源导通电阻:	900 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.3 V
Qg-栅极电荷:	97 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	221 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	OptiMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	8.5 ns
正向跨导 - 最小值:	110 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	6 ns
系列:	OptiMOS 6
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	32.9 ns
典型接通延迟时间:	13.5 ns
零件号别名:	ISC009N06NM6 SP005570342

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

ISC009N06NM6ATMA1 数据表 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET凭借强大的功率MOSFET技术提供卓越的性能。与OptiMOS 5相比，OptiMOS 60V功率MOSFET的R_DS(on)降低37%以上，FOM_Qg x R_DS(on)性能提升约25%。英飞凌OptiMOS 6 60V功率MOSFET在软开关拓扑和低频应用中可实现更高的系统效率与功率密度。