S25FL512SAGBHBA10

Infineon Technologies
727-S25FL512SAGBHBA1
S25FL512SAGBHBA10

制造商:

说明:
NOR闪存 IC 512 Mb FLASH MEMORY

ECAD模型:
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库存量: 3,538

库存:
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数量 单价
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¥72.4556 ¥72.46
¥67.3254 ¥673.25
¥65.2575 ¥1,631.44
¥63.7772 ¥3,188.86
¥62.2065 ¥6,220.65
¥60.2177 ¥15,054.43
¥55.257 ¥18,676.87
¥51.3698 ¥52,088.98
2,704 报价

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: NOR闪存
RoHS:  
SMD/SMT
S25FL512S
512 Mbit
2.7 V
3.6 V
90 mA
SPI
133 MHz
64 M x 8
8 bit
Synchronous
- 40 C
+ 105 C
AEC-Q100
Tray
商标: Infineon Technologies
湿度敏感性: Yes
产品类型: NOR Flash
工厂包装数量: 338
子类别: Memory & Data Storage
商标名: MirrorBit
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8542329090
CAHTS:
8542320040
USHTS:
8542320051
TARIC:
8542326100
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.1.a

S25FL512S FL-S NOR Flash Memory Devices

Infineon Technologies S25FL512S FL-S NOR Flash Memory Devices are VIO VCC 2.7V to 3.6V flash non-volatile memory devices. These devices use 65nm MirrorBit technology. Designed using Eclipse™ architecture with a 512-byte page programming buffer. The 512-Mb S25FL512S FL-S NOR allows users to program up to 256 words (512 bytes) in one operation. This results in faster effective programming and erase than prior generation SPI programs or erase algorithms. The device connects to a host system via an SPI and supports traditional SPI single-bit serial input and output. Optional two-bit (Dual I/O or DIO) and four-bit (Quad I/O or QIO) serial commands. The S25FL512S FL-S NOR provides support for Double Data Rate read commands for SIO, DIO, and QIO that transfer addresses. 

汽车解决方案

Cypress汽车解决方案是符合AEC-Q100标准的产品组合,包括各种在制造和测试中符合严苛的零缺陷政策的高质量产品。MCU、NOR、RAM和PMIC零件为仪表板、车身电子、HMI和高性能存储解决方案提供了质量保证和支持。

FL 串行 NOR 闪存

Cypress FL 串行 NOR 闪存减少了引脚数,从而降低系统成本降低,同时提供最佳读/写性能。 这一特性使得 FL 串行 NOR 闪存特别适合用于汽车、网络、消费类电子产品以及工业应用。 符合 AEC-Q100 认证,还可为汽车客户提供 PPAP 支持。 FL 系列有四个产品类别:FL-S、FL-L、FL1-K 和 FL-P。
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