S80KS5122GABHI020

Infineon Technologies
727-S5122GABHI020
S80KS5122GABHI020

制造商：

说明：
动态随机存取存储器 SPCM

数据表:
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库存量: 44

库存：
44
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在途量:
676
生产周期：
26
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥99.0897 ¥99.09
¥90.739 ¥907.39
¥88.0044 ¥2,200.11
¥85.8574 ¥4,292.87
¥83.7895 ¥8,378.95
¥81.0662 ¥20,266.55

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS:  
HyperRAM
512 Mbit
8 bit
200 MHz
FBGA-24
64 M x 8
35 ns
1.7 V
2 V
- 40 C
+ 85 C
Tray
商标: Infineon Technologies
湿度敏感性: Yes
安装风格: SMD/SMT
产品类型: DRAM
工厂包装数量: 338
子类别: Memory & Data Storage
电源电流—最大值: 44 mA
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已选择的属性: 0

数据表

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合规代码
CNHTS:
8542329010
USHTS:
8542320032
ECCN:
3A991.b.2
原产地分类
原产国:
泰国
组装原产国/地区:
泰国
扩散国家:
中国台湾
发货时，国家/地区可能会发生变化。

S80KS5122和S80KS5123 HYPERRAM™ 2.0存储器

Infineon Technologies S80KS5122和S80KS5123 HYPERRAM™ 2.0存储器是一种高速、低引脚数、低功耗自刷新动态随机存取存储器，适用于需要扩展存储器实现暂存器或缓冲用途的高性能嵌入式系统。   HYPERRAM产品支持符合JEDEC JESD251规范的HYPERBUS™和八通道xSPI接口，利用了并行和串行接口存储器的传统特性，同时提高了系统性能，简化了设计，降低了系统成本。      HYPERRAM的低引脚计数架构使其特别适用于需要片外外部随机存取存储器的电源和电路板空间受限的应用。

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