QLCT101Q511G3GV002E
609-T101Q511G3GV002E
QLCT101Q511G3GV002E
制造商:
说明:
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 0805 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 2% Ni/Sn AEC-Q200
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 0805 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 2% Ni/Sn AEC-Q200
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- ECCN:
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中国
