QSCF201Q120F1GV001T
609-F201Q120F1GV001T
QSCF201Q120F1GV001T
制造商：
说明：
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 0402 Hi-Q NP0/C0G 200V 12pF 1% Ni/Sn
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 0402 Hi-Q NP0/C0G 200V 12pF 1% Ni/Sn
寿命周期:
Mouser 的新产品
合规代码
- CAHTS:
- 8532240010
- USHTS:
- 8532240020
- JPHTS:
- 853224000
- KRHTS:
- 8532240000
- TARIC:
- 8532240000
- MXHTS:
- 8532240400
- BRHTS:
- 85322410
- ECCN:
- EAR99
原产地分类
- 原产国:
- 美国
- 组装原产国/地区:
- 不可用
- 扩散国家:
- 不可用
供货情况
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库存：
-
0出现意外错误。请稍候重试。
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在途量:
-
6,900预期 2026/8/31
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生产周期：
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18周 大于所示数量的预计工厂生产时间。