100B331JP200XT
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581-100B331JP200XT
100B331JP200XT
制造商:
说明:
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 200V 330pF 5%
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 200V 330pF 5%
合规代码
- CNHTS:
- 8532290000
- CAHTS:
- 8532240010
- USHTS:
- 8532240020
- JPHTS:
- 853224000
- TARIC:
- 8532290000
- BRHTS:
- 85322410
- ECCN:
- EAR99
原产地分类
- 原产国:
- 美国
- 组装原产国/地区:
- 不可用
- 扩散国家:
- 不可用
供货情况
-
库存:
-
无库存出现意外错误。请稍候重试。
-
-
生产周期:
-
16 周 预计工厂生产时间。
此产品免运费
定价 (含13% 增值税)
| 数量 | 单价 |
总价
|
|---|---|---|
| 整卷卷轴(请按500的倍数订购) | ||
| ¥67.1333 | ¥33,566.65 | |
| ¥63.6642 | ¥63,664.20 | |
中国
