LSIC2SD065D20A

Littelfuse
576-LSIC2SD065D20A
LSIC2SD065D20A

制造商:

说明:
碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 20A SM SCHOTTKY

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 713

库存:
713 可立即发货
生产周期:
29 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按800的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥63.9354 ¥63.94
¥43.6745 ¥436.75
¥36.1487 ¥3,614.87
整卷卷轴(请按800的倍数订购)
¥36.1487 ¥28,918.96
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
Littelfuse
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
SMD/SMT
D2PAK-2 (TO-263-2)
Single
20 A
650 V
1.8 V
95 A
100 uA
- 55 C
+ 175 C
LSIC2SD
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Littelfuse
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 800
子类别: Diodes & Rectifiers
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
韩国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

商用与战术无人机系统

Littelfuse 商用和战术无人机系统 提供锂离子电池保护、电池充电器和电源分配解决方案。这些系统提供用于输入保护/过电流保险丝、用于半导体开关的MOSFET和用于DC输出瞬态/浪涌保护的TVS二极管。商用和战术无人机系统提供>60V的电池保护,并提供主电池组故障隔离、电池断开/电源路径控制(预充电支持)和分支电路过电流。典型应用包括情报、监视和侦察(ISR)、军事、边境监视、农业、交付/物流、检查和公共安全。

燃油/混合动力军用无人机系统

Littelfuse 燃油/混合动力军用无人机(UAV)系统提供电源转换和DC总线、配电以及充电器/地面电源解决方案。这些系统支持电源转换和DC总线,并带有整流二极管,可将AC线路电压转换为DC。  燃油/混合动力军用无人机 (UAV) 系统提供TVS二极管、保险丝和MOSFET,用于半导体开关、浪涌保护和整流。这些系统提供符合AEC-Q/MIL标准的各类产品。典型应用包括情报、监视和侦察(ISR)、军事和边境监视。

无人机子系统

Littelfuse 无人机子系统提供USB-C PD和锂离子电池充电器、电池组系统和BLDC电机的解决方案。这些子系统提供各种功能的保险丝,包括AC输入过电流保护和故障隔离、电池和下游控制器的保护、电池组、线路和控制器的保护。无人机子系统提供TVS二极管,用于主要侧开关瞬态抑制和电池监控IC感知线输入过电压保护。这些子系统适用于各种无人机,包括玩具、相机、第一人称视角(FPV)、企业、工业、情报、监视和侦察(ISR)、检查/测绘、农业和重型升力无人机。典型应用包括快递/物流、公共安全、边境监控和军事。

LSIC2SD GEN2 SiC肖特基二极管

Littelfuse LSIC2SD GEN2碳化硅 (SiC) 肖特基二极管可为各种应用提供更高的效率、可靠性和更强的热管理。这些二极管的最高工作结温为+175°C,其正温度系数支持安全操作和轻松并联。Littelfuse LSIC2SD GEN2 SiC肖特基二极管的其他特性包括高浪涌承受能力和几乎可忽略的反向恢复电流。这些二极管的开关动作极快且不受温度影响。与硅双极二极管相比,GEN2 SiC肖特基二极管大幅减少了开关损耗。LSIC2SD GEN2 SiC肖特基二极管非常适合用于电动车充电桩、太阳能逆变器、开关模式电源等。这些二极管采用多种封装和电压/电流额定值,包括650V(6A至40A)和1200V(5A至40A)。

碳化硅MOSFET

Littelfuse碳化硅MOSFET优化用于高频、高效率应用。这些坚固的碳化硅MOSFET采用TO-247-3L封装,具有超低导通电阻。Littelfuse提供内部设计、开发和制造的碳化硅MOSFET,这些器件具有极低的栅极电荷和输出电容,在所有温度范围内具有业界领先的性能和耐用性,还具有超低导通电阻。现可供应电压为1200V的80mΩ、120mΩ和160mΩ版本。