CGH55030F2

MACOM
941-CGH55030F2
CGH55030F2

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 Watt

数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
MACOM
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
Screw Mount
440166
N-Channel
120 V
3 A
- 3 V
- 40 C
+ 150 C
6 GHz
4.5 GHz
GaN
商标: MACOM
配置: Single
增益: 12 dB
输出功率: 25 W
封装: Tray
产品: GaN HEMTs
产品类型: GaN FETs
工厂包装数量: 40
子类别: Transistors
晶体管类型: GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V to 2 V
单位重量: 6.675 g
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

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合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854239099
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
美国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

供货情况

库存：
无库存
生产周期：
26 周 预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 80   倍数： 80
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

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总价
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