GTVA126001EC-V1-R0

Name: MACOM GTVA126001EC-V1-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-GTVA126001ECV1R0
Price: 8659.43 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

941-GTVA126001ECV1R0

制造商编号：

GTVA126001EC-V1-R0

制造商：

MACOM

说明：

GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W

数据表:

GTVA126001EC-V1-R0 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	MACOM
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	H-36248-2
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	10 A
Vgs th-栅源极阈值电压:	- 3 V
最大工作频率:	1.4 GHz
最小工作频率:	1.2 GHz
技术:	GaN
商标:	MACOM
增益:	18 dB
输出功率:	600 W
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 :	- 10 V to 2 V

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PCN

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合规代码

USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

GTVA大功率射频碳化硅基氮化镓HEMT

Wolfspeed/Cree GTVA大功率射频碳化硅基氮化镓HEMT是基于碳化硅基氮化镓技术的50V高电子迁移率晶体管 (HEMT)。碳化硅基氮化镓器件具有高功率密度和高击穿电压，可实现高效功率放大器。该GTVA大功率射频碳化硅基氮化镓HEMT具有输入匹配、高效率和散热增强型封装。这些脉冲波/CW（连续波）器件具有128µs的脉冲宽度和10%的占空比。