PXAD184218FV-V1-R2
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941-PXAD184218FV1R2
PXAD184218FV-V1-R2
制造商:
说明:
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
合规代码
- USHTS:
- 8541290055
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
原产地分类
- 原产国:
- 美国
- 组装原产国/地区:
- 不可用
- 扩散国家:
- 不可用
中国
