射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 586
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
数据表
1,533库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 5 A 25 V 1 GHz 11.5 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
数据表
90库存量
最低： 10
倍数： 10

GaAs 440 mA to 800 mA 8 V 12 GHz 9 dB 32 dBm + 150 C Die Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
数据表
3,490库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

N-Channel Si 5 A 25 V 1 GHz 15 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerFLAT (5x5) Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS
数据表
5,857库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 2.5 A 40 V 1 GHz 17 dB 3 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB
数据表
524库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 500 mA 65 V 500 MHz 18 dB 2 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 305A-01 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,<175MHz,50V,150W,CuMollyPkg
数据表
260库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 16 A 125 V 175 MHz 13 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount 244-4 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB
数据表
340库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 16 A 65 V 400 MHz 12 dB 100 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 744A-01 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Matched pair Transistors
数据表
408库存量
最低： 1
倍数： 1
N-Channel Si 16 A 125 V 150 MHz 17 dB 150 W + 200 C SMD/SMT 221-11-3
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS
数据表
1,332库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 4 A 40 V 1 GHz 17 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
Mini-Circuits 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS
数据表
1,009库存量
1,500预期 2026/8/18
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 500

N-Channel GaAs 60 mA 4 V 10 MHz to 4 GHz 12 dB 21.3 dBm - 40 C + 85 C SMD/SMT MCLP-4 Reel, Cut Tape, MouseReel

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 26 GHz Medium Power Packaged GaAs FET
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100库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 100

GaAs 26 mA 173 Ohms 26 GHz 11 dB 20 dBm + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP0427M9S20G/TO270/REEL
数据表
97库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 100

N-Channel LDMOS 65 V 500 mOhms 400 MHz to 2.7 GHz 19 dB 20 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Mini-Circuits 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 SMT Low Noise Amplifier, 45 MHz - 6 GHz
数据表
407库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 500

N-Channel GaAs 60 mA 4 V 45 MHz to 6 GHz 8.9 dB 20.3 dBm - 40 C + 85 C SMD/SMT 1.4 mm x 1.2 mm Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174
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61库存量
75预期 2026/10/26
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 16 A 180 V 175 MHz 22 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S30G/TO270/REEL
数据表
132库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 100

N-Channel LDMOS 32 V 30 mOhms 2 GHz 19 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
数据表
228库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,40W,<500MHz,28V,TMOS
数据表
16库存量
100预期 2027/3/10
最低： 1
倍数： 1

Si
Mini-Circuits 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 SMT Low Noise Amplifier, 10 MHz - 4 GHz
数据表
393库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 500

N-Channel GaAs 60 mA 4 V 10 MHz to 4 GHz 12.3 dB 21.5 dBm - 40 C + 85 C SMD/SMT 1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS250/SOT1270/REELDP
数据表
69库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 100

N-Channel LDMOS 65 V 40.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 14.4 dB 250 W + 225 C SMD/SMT SOT1270-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
数据表
3库存量
最低： 1
倍数： 1
: 10

N-Channel GaAs 28 GHz 15 dB 24.5 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1
数据表
50库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 30 A 1 kV 40 MHz 17 dB 750 W - 55 C + 175 C Screw Mount
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB
数据表
8库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 60 A 125 V 80 MHz 21 dB 600 W - 65 C + 150 C SMD/SMT Tray
Mini-Circuits 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMIC AMPLIFIER
数据表
738库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 500

N-Channel Si 15 mA 3 V 45 MHz to 6 GHz 20.9 dB 20 dBm - 40 C + 85 C SMD/SMT MCLP-4 Reel, Cut Tape, MouseReel

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
数据表
63库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 14 A 500 V 65 MHz 13 dB 150 W - 55 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube


MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,150MHz,28V,150W,Mosfet
数据表
22库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 16 A 65 V 150 MHz 15 dB 150 W + 200 C Screw Mount