APT45GP120B2DQ2G

Microchip Technology
494-APT45GP120B2DQ2G
APT45GP120B2DQ2G

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 45 A TO-247 MAX

ECAD模型:
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库存量: 17

库存:
17 可立即发货
生产周期:
12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥170.1441 ¥170.14
¥147.0695 ¥14,706.95

产品属性 属性值 选择属性
Microchip
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
T-Max-3
Through Hole
Single
1.2 kV
3.3 V
- 30 V, 30 V
113 A
625 W
- 55 C
+ 150 C
Tube
商标: Microchip Technology
集电极最大连续电流 Ic: 113 A
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1
子类别: IGBTs
商标名: POWER MOS 7 IGBT
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99