APTMC120HM17CT3AG

Mouser编号：

494-APTMC120HM17CT3A

制造商编号：

APTMC120HM17CT3AG

制造商：

Microchip Technology

说明：

MOSFET模块 CC3186

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寿命周期:

停产

数据表:

APTMC120HM17CT3AG 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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发货提醒：

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Microchip
产品种类:	MOSFET模块
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
技术:	Si
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	SP3F-32
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	147 A
Rds On-漏源导通电阻:	12.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
Pd-功率耗散:	750 W
封装:	Tube
商标:	Microchip Technology
配置:	Quad
下降时间:	30 ns
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	19 ns
工厂包装数量:	1
子类别:	Discrete and Power Modules
类型:	Switch Mode Power Supply
典型关闭延迟时间:	50 ns
典型接通延迟时间:	21 ns
Vf - 正向电压:	1.5 V
单位重量:	110 g

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PCN

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合规代码

USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 不可用
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

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碳化硅 (SiC) 半导体

Microchip Technology 的碳化硅 (SiC) 半导体是电力电子设计人员的创新选择，可提高系统效率、缩小外形尺寸并提高产品的工作温度，适用于工业、医疗、军事/航空航天、航空和通信等细分市场。Microchip的下一代碳化硅（SiC）MOSFET和碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）在设计上具有高重复无钳位电感开关（UIS）能力，其碳化硅MOSFET在约10J/cm² 至15J/cm² 时保持高UIS能力，在3ms至5ms时保持稳健的短路保护能力。Microchip Technology碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 在低反向电流时具有平衡的浪涌电流、正向电压、热阻和热容额定值，可降低开关损耗。此外，碳化硅 (SiC) MOSFET和碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 还可配对用于模块中。