MSC015SMA070B

Microchip Technology
494-MSC015SMA070B
MSC015SMA070B

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247
在开发工具选择器中查看

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Microchip Technology MSC015SMA070B详情

库存量: 44

库存：
44 可立即发货
生产周期：
6 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥147.8944 ¥147.89
¥136.4023 ¥4,092.07
¥118.6952 ¥14,243.42

产品属性 属性值 选择属性
Microchip
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
700 V
149 A
19 mOhms
- 10 V, + 25 V
1.9 V
215 nC
- 55 C
+ 175 C
524 W
Enhancement
商标: Microchip Technology
配置: Single
下降时间: 20 ns
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 34 ns
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 53 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
单位重量: 6 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

碳化硅 (SiC) 半导体

Microchip Technology 的碳化硅 (SiC) 半导体是电力电子设计人员的创新选择，可提高系统效率、缩小外形尺寸并提高产品的工作温度，适用于工业、医疗、军事/航空航天、航空和通信等细分市场。Microchip的下一代碳化硅（SiC）MOSFET和碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）在设计上具有高重复无钳位电感开关（UIS）能力，其碳化硅MOSFET在约10J/cm2 至15J/cm2 时保持高UIS能力，在3ms至5ms时保持稳健的短路保护能力。Microchip Technology碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 在低反向电流时具有平衡的浪涌电流、正向电压、热阻和热容额定值，可降低开关损耗。此外，碳化硅 (SiC) MOSFET和碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 还可配对用于模块中。

碳化硅 (SiC) MOSFET

与传统的硅 (Si) 功率MOSFET相比，Microchip Technology的碳化硅 (SiC) MOSFET具有出色的动态性能和热性能。这些MOSFET具有低电容、低栅极电荷、快速开关速度以及良好的耐雪崩性能。这些碳化硅MOSFET能够在175°C的高结温下稳定工作。这些MOSFET具有高效率和低开关损耗。这些碳化硅MOSFET无需任何续流二极管。典型应用包括智能电网输配电、感应加热和焊接、供电及配电。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。