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MSC025SMA120B

Name: Microchip MSC025SMA120B
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC025SMA120B
Price: 293.75 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

494-MSC025SMA120B

制造商编号：

MSC025SMA120B

制造商：

Microchip Technology

说明：

碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247

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数量	单价	总价
	¥331.9375	¥331.94
	¥306.1283	¥9,183.85
510	报价

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Microchip
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	113 A
Rds On-漏源导通电阻:	31 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.9 V
Qg-栅极电荷:	232 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	577 W
通道模式:	Enhancement
商标:	Microchip Technology
配置:	Single
下降时间:	25 ns
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	15 ns
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	38 ns
典型接通延迟时间:	63 ns
单位重量:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

碳化硅 (SiC) 半导体

Microchip Technology 的碳化硅 (SiC) 半导体是电力电子设计人员的创新选择，可提高系统效率、缩小外形尺寸并提高产品的工作温度，适用于工业、医疗、军事/航空航天、航空和通信等细分市场。Microchip的下一代碳化硅（SiC）MOSFET和碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）在设计上具有高重复无钳位电感开关（UIS）能力，其碳化硅MOSFET在约10J/cm² 至15J/cm² 时保持高UIS能力，在3ms至5ms时保持稳健的短路保护能力。Microchip Technology碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 在低反向电流时具有平衡的浪涌电流、正向电压、热阻和热容额定值，可降低开关损耗。此外，碳化硅 (SiC) MOSFET和碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 还可配对用于模块中。

碳化硅 (SiC) MOSFET

与传统的硅 (Si) 功率MOSFET相比，Microchip Technology的碳化硅 (SiC) MOSFET具有出色的动态性能和热性能。这些MOSFET具有低电容、低栅极电荷、快速开关速度以及良好的耐雪崩性能。这些碳化硅MOSFET能够在175°C的高结温下稳定工作。这些MOSFET具有高效率和低开关损耗。这些碳化硅MOSFET无需任何续流二极管。典型应用包括智能电网输配电、感应加热和焊接、供电及配电。